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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱(chēng)：美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY萬(wàn)用表2001

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2025-06-07

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY萬(wàn)用表2001中國(guó)電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷(xiāo)售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供專(zhuān)業(yè)的解決方案，測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購(gòu)管理、售后維修服務(wù)。

產(chǎn)品特性Product characteristics

中國(guó)電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷(xiāo)售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供專(zhuān)業(yè)的解決方案，測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購(gòu)管理、售后維修服務(wù)。

吉時(shí)利KEITHLEY2000，2001,2002,2010萬(wàn)用表應(yīng)用領(lǐng)域：
 離散和無(wú)源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻

–三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器

 圓片級(jí)可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽(yáng)能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器
電路保護(hù)器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開(kāi)關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線(xiàn)
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機(jī)電子
基本運(yùn)放電路
二極管和電路
晶體管電路

測(cè)試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測(cè)試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
太陽(yáng)能電池和 LED 設(shè)計(jì)
高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件
碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量
在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量
納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量
提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測(cè)量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測(cè)量的技術(shù)
納米級(jí)材料的電氣測(cè)量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量挑戰(zhàn)
測(cè)量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測(cè)量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評(píng)估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測(cè)量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測(cè)量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*進(jìn)CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測(cè)試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線(xiàn)歐姆測(cè)量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測(cè)量
配置分立電阻器驗(yàn)證測(cè)試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
多臺(tái)數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見(jiàn)光LED的生產(chǎn)測(cè)試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測(cè)試
在運(yùn)行中第5次測(cè)量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個(gè)緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測(cè)試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器
C-V 曲線(xiàn) (高頻：100kHz)：
摻雜類(lèi)型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層

寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線(xiàn)分析：
電荷建立 (測(cè)量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源)； 氧化層電容測(cè)定； 與 C-V 曲線(xiàn)

比較。
C-V 曲線(xiàn) (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線(xiàn)：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 

Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線(xiàn) (高頻：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙極結(jié)型晶體管
     主題
   正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
   正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對(duì)于幾個(gè) Vce 正值。
   正向 Gummel 曲線(xiàn)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   非理想特性：爾利電壓。
   反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對(duì)于幾個(gè)Vce負(fù)值。
   反向 Gummel 曲線(xiàn)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對(duì)于給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實(shí)驗(yàn)做比較。
   BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜濃縮。
 
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強(qiáng)或耗盡)，溝道長(zhǎng)度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效

溝道長(zhǎng)度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS 

= –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the 

transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓特性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region 

(VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier 

Lowering (VT shift) effect.
襯底電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection 

effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長(zhǎng)溝道和短溝道公式的輸出特性模型：比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY萬(wàn)用表2001概述

    用戶(hù)在實(shí)際應(yīng)用中通常需要具有較高分辨率、準(zhǔn)確度和靈敏度，以及高產(chǎn)能的產(chǎn)品。現(xiàn)在有兩款吸引力的數(shù)字多用表可供選擇。吉時(shí)利推出的keithley2001型七位半和keithley2002型八位半高性能數(shù)字多用表所具備的性能指標(biāo)通常只能在那些價(jià)格昂貴數(shù)千倍的測(cè)量?jī)x器上才能獲得，不僅如此，它們的功能比常規(guī)的數(shù)字多用表更加豐富。
 
 keithley2001七位半吉時(shí)利數(shù)字多用表特點(diǎn)
七位半 （2001型）或八位半 （2002型）分辨率
高速的多功能測(cè)量性能
多種內(nèi)置測(cè)量功能
內(nèi)置的10通道掃描器選件
兼容IEEE－488.2和SCPI接口
2002型具備HP3458A仿真模式 
 
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY萬(wàn)用表2001主要指標(biāo)

 標(biāo)配件

1751型2線(xiàn)通用測(cè)試探頭（適用于175A、197A、2000、2001、2002、2010、2015、2016） 

選購(gòu)配件
槽口蓋板
MEM1：32k存儲(chǔ)器
MEM2：128k存儲(chǔ)器
2000-SCAN：10通道通用掃描卡
2001-TCSCAN：9通道掃描卡用于冷端補(bǔ)償?shù)臏囟葴y(cè)量、電壓、電阻和/或頻率測(cè)量
2001-SCAN型：10通道掃描卡，帶8個(gè)繼電器輸入和2個(gè)固態(tài)輸入
 
keithley2001七位半吉時(shí)利數(shù)字多用表配套產(chǎn)品
7001，7001型80通道程控開(kāi)關(guān)控制器
7002，7002型400通道程控開(kāi)關(guān)控制器

keithley美國(guó)吉時(shí)利萬(wàn)用表系列產(chǎn)品
keithley2000-20型六位半數(shù)字多用表（帶20通道掃描卡）
keithley2000/2000-SCAN型、2000型六位半數(shù)字多用表（帶2000-SCAN型10通道掃描卡）
keithley2001型高性能七位半數(shù)字多用表，帶8k存儲(chǔ)器
keithley2010型七位半低噪聲自動(dòng)變量程數(shù)字多用表
keithley2700型數(shù)字多用表，數(shù)據(jù)采集，數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)，帶2個(gè)插槽
keithley2750型數(shù)字多用表/數(shù)據(jù)采集/開(kāi)關(guān)/數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)
keithley2002/ MEM1型高性能八位半數(shù)字多用表（帶32k內(nèi)存）
keithley2002/ MEM2型高性能八位半數(shù)字多用表（帶128k內(nèi)存）